STW20NM60FD 全国供应商、价格、PDF资料
STW20NM60FD详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
- 系列：FDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：214W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247-3
- 包装：管件
- 功率，高于 2 安 Honeywell Sensing and Control 2-SMD，无引线，裸露焊盘 RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V
- 电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 33000UF 16V 20% SNAP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
- 钽 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 25V 20% 2917
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC GATE NAND 3INPUT 14SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16PT INPUT NPN
- DIP C&K Components 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SWITCH DIP UNSEALED 5POS SMD
- 功率，高于 2 安 Honeywell Sensing and Control 2-SMD，无引线，裸露焊盘 RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 24V
- 电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 10000UF 16V 20% SNAP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC AND GATE 3-IN 14SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16PT INPUT NPN
- 功率，高于 2 安 Honeywell Sensing and Control 2-SMD，无引线，裸露焊盘 RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 220V
- 电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP
- DIP C&K Components 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SWITCH DIP TAPE SEALED 6POS
- FET - 单 STMicroelectronics TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
0755-82561519 
0755-88291559 
19166203057 
0755-84507209 
010-62962871、 
0755-83033978 
0755-22655674 
13410941925 
0755-83242658 
0755-83226745 
13510131896 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-83209630 
0755- 8251939 
